日本進口Nasgiken批量晶圓整體表面蝕刻設備 BEM-310 特點介紹

該設備使用臭氧和HF對硅晶片的整個表面進行體蝕刻。

氣體蝕刻不會在晶圓表面產生水滴。

蝕刻期間晶圓中的污染物不會轉移到其他位置。

這是在潔凈室中使用的獨立式設備。

使用單張片材對整個表面進行蝕刻，但也可以通過映射恢復進行部分評估。

晶圓搬運由人工完成，但設備由計算機控制，操作方便。

日本進口Nasgiken批量晶圓整體表面蝕刻設備 BEM-310 規格參數

設備名稱 BEM-310

兼容晶圓尺寸 200毫米、300毫米

手術 內置電腦

批量蝕刻功能 ○

恢復率能力 ±10%以內

蝕刻后平整度 ±10%以內

外形尺寸（寬×深×高）（毫米）（*1） 1000×1300×2000

重量 約150公斤

使用設備 酸排放、一般廢氣、酸廢氣

所需的公用設施 電源（AC100V、200V）、純水、O2、N2、HF

該設備使用臭氧和HF對硅晶片的整個表面進行體蝕刻。

氣體蝕刻不會在晶圓表面產生水滴。

蝕刻期間晶圓中的污染物不會轉移到其他位置。

這是在潔凈室中使用的獨立式設備。

使用單張片材對整個表面進行蝕刻，但也可以通過映射恢復進行部分評估。

晶圓搬運由人工完成，但設備由計算機控制，操作方便。